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INFONA - Wissenschaftskommunikationsportal Temperaturkompensierte IBAR-Referenzoszillatoren Diese Arbeit stellt einen zweipoligen, automatisch temperaturkompensierten mikromechanischen IBAR-Referenzoszillator mit einer Temperaturdrift von 39ppm über 100 ° C dar. Die Temperaturkompensation wird durch ein parabolisches VP-Korrekturschema bereitgestellt und bietet eine 10fache Verbesserung gegenüber Zuvor berichtete Ergebnisse. Einstellbare 6MHz-, 10MHz - und 20MHz-Resonatoren wurden mit 2000 4500ppm Abstimmung und Q bis zu 119000 charakterisiert. Bewegungsimpedanzen bis 218 wurden aus Messdaten mit V P 18V extrahiert. Die Schnittstellen-IC für Temperaturkompensation und Oszillation verbraucht nur 1,9 mW. Messungen zeigen auch, dass eine Temperaturkompensation eines 10MHz Resonators mit 65nm Lücken mit weniger als 5V möglich ist. Identifikatoren Schriftgröße ändern Sie können die Schriftgröße durch Drücken einer Tastenkombination anpassen: CONTROL Schrift vergrößern STEUERUNG ndash Schrift verkleinern Navigieren Sie die Seite ohne Maus Sie können die aktiven Elemente auf der Seite (Schaltflächen und Links) durch Drücken einer Kombination aus ändern Tasten: TAB gehen zum nächsten Element SHIFT TAB gehen zum vorherigen Element Von dem Nationalen Zentrum für Forschung und Entwicklung unter der Fördernummer Nr. SPI17706510 durch das strategische wissenschaftliche Forschungs - und experimentelle Entwicklungsprogramm finanziert: SYNAT - Interdisziplinäres System für interaktive wissenschaftliche und wissenschaftlich-technische Information. Patent Anwendungstitel: Integrierte Schaltkreis-Oszillatoren mit mikroelektromechanischen Resonatoren mit parasitischer Impedanz-Streichung Patentanmeldung Titel: Integrierte Schaltkreis-Oszillatoren mit mikroelektromechanischen Resonatoren Hierin mit parasitischer Impedanz Stornierung Erfinder: Farrokh Ayazi Seyed Hossein Miri Lavasani Agenten: MYERS BIGEL SIBLEY SAJOVEC Bearbeiter: Herkunft: RALEIGH, NC US IPC8 Klasse: AH03B530FI USPC Klasse: Erscheinungsdatum: 12092010 Patentanmeldung Nummer: 20100308930 Ein integrierter Schaltungsoszillator enthält einen mikroelektromechanischen (MEM) Resonator mit Eingangs - und Ausgangsklemmen. Eine Oszillationsunterhaltungsschaltung ist vorgesehen. Die Oszillations-Halteschaltung ist zwischen den Eingangs - und Ausgangsanschlüssen des mikroelektromechanischen Resonators elektrisch gekoppelt. Die Oszillationserhaltungsschaltung enthält einen Verstärkungsverstärker und eine Negativimpedanzschaltung, die elektrisch mit dem Halteverstärker gekoppelt ist. Die Negativimpedanzschaltung ist so konfiguriert, dass sie einen Abstimmbereich des Oszillators durch zumindest teilweises Aufheben einer parasitären Shuntkapazität, die dem mikroelektromechanischen Resonator zugeordnet ist, erhöht. 1. Oszillator, umfassend: einen mikroelektromechanischen Resonator mit einer Eingangs - und einer Ausgangssignal-Oszillations-Halteschaltung, die elektrisch mit dem Eingang und dem Ausgang des mikroelektromechanischen Resonators gekoppelt ist, wobei die Oszillations-Halte-Schaltung einen Verstärkungsverstärker und eine negative Impedanzschaltung aufweist, die elektrisch mit dem Halteverstärker gekoppelt ist . 2. Oszillator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Negativimpedanzschaltung so konfiguriert ist, dass sie einen Abstimmbereich des Oszillators durch zumindest teilweises Aufheben einer parasitären Shuntkapazität, die dem mikroelektromechanischen Resonator zugeordnet ist, erhöht. 3. Oszillator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Verstärkungsverstärker einen Transimpedanzverstärker aufweist. 4. Oszillator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Negativimpedanzschaltung einen Lastkondensator und einen Negativimpedanzwandler umfasst und wobei der Halteverstärker einen Abstimmkondensator umfasst, der einen ersten Anschluss aufweist, der elektrisch mit einem ersten Anschluss des Lastkondensators verbunden ist. 5. Oszillator nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Verstärkungsverstärker einen Transimpedanzverstärker aufweist, dessen Eingang mit einem zweiten Anschluss des Abstimmkondensators elektrisch verbunden ist. 6. Oszillator, umfassend: eine mikroelektromechanische resonatorische Oszillations-Halteschaltung, die elektrisch mit dem mikroelektromechanischen Resonator gekoppelt ist, wobei die Oszillations-Halteschaltung eine negative Impedanzschaltung aufweist, die elektrisch mit dem mikroelektromechanischen Resonator gekoppelt ist. 7. Oszillator nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Negativimpedanzschaltung einen Negativimpedanzwandler und einen Lastkondensator umfasst und wobei der Negativimpedanzwandler einen Spannungsteiler und einen ersten Transistor mit einem ersten stromführenden Anschluss umfasst, der mit einem Zwischenknoten des Stroms elektrisch verbunden ist Spannungsteiler. 8. Oszillator nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Negativimpedanzwandler ferner einen zweiten Transistor mit einem mit dem Zwischenknoten verbundenen Gateanschluss umfasst. 9. Oszillator nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Transistor einen ersten stromführenden Anschluss aufweist, der mit einer Elektrode des Lastkondensators elektrisch verbunden ist. 10. Oszillator nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Transistor einen zweiten stromführenden Anschluss aufweist, der mit einem Anschluss des mikroelektromechanischen Resonators elektrisch verbunden ist. 11. Oszillator nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Spannungsteiler mehrere Widerstände aufweist und wobei der Negativimpedanzwandler so konfiguriert ist, dass seine Eingangskapazität größer ist als eine Größe des Lastkondensators um einen Betrag, der zumindest teilweise auf Werten bestimmt ist Der Vielzahl von Widerständen. 12. Oszillator nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Spannungsteiler mehrere Widerstände aufweist und wobei der Negativimpedanzwandler so konfiguriert ist, dass seine Eingangskapazität größer als eine Größe des Lastkondensators um einen Betrag ist, der proportional zu einem Parallelwiderstand von zwei ist Der Vielzahl von Widerständen. 13. Oszillator mit: einer seitlich vibrierenden MEMs-Resonatoran-Oszillations-Halteschaltung, die elektrisch mit dem lateral angeregten MEMs-Resonator gekoppelt ist, wobei die Oszillations-Halte-Schaltung eine erste negative Impedanzschaltung aufweist, die elektrisch mit einem ersten Anschluß des seitlich angeregten MEMs-Resonators gekoppelt ist. 14. Oszillator nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Oszillationsunterhaltungsschaltung ferner eine zweite negative Impedanzschaltung umfasst, die elektrisch mit einem zweiten Anschluss des seitlich angeregten MEMs-Resonators gekoppelt ist. 15. Oszillator nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die erste negative Impedanzschaltung einen negativen Impedanzwandler und einen Lastkondensator umfasst und wobei der negative Impedanzwandler einen Spannungsteiler und einen ersten Transistor mit einem ersten stromführenden Anschluss aufweist, der elektrisch mit einem Zwischenknoten verbunden ist Der Spannungsteiler. 16. Oszillator nach einem der Ansprüche 15 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass der Spannungsteiler mehrere Widerstände aufweist und wobei der Negativimpedanzwandler so konfiguriert ist, dass seine Eingangskapazität größer ist als eine Größe des Lastkondensators um einen Betrag, der zumindest teilweise auf Werten ermittelt wird Der Vielzahl von Widerständen. 17. Oszillator nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass der Spannungsteiler mehrere Widerstände aufweist und wobei der Negativimpedanzwandler so konfiguriert ist, dass seine Eingangskapazität größer als eine Größe des Lastkondensators um einen Betrag ist, der proportional zu einem Parallelwiderstand von zwei ist Der Vielzahl von Widerständen. Beschreibung: REFERENCE TO PRIORITY APPLICATION 0001 Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der U. S. Provisional Application Ser. Nr. 61185,356, eingereicht am 9. Juni 2009, deren Offenbarung hiermit durch Bezugnahme aufgenommen wird. GEBIET DER ERFINDUNG 0002 Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf integrierte Schaltungsvorrichtungen und insbesondere auf mikroelektromechanische Vorrichtungen und Verfahren zum Betreiben derselben. HINTERGRUND DER ERFINDUNG 0003 Referenzfrequenzoszillatoren spielen eine wesentliche Rolle bei der Durchführung moderner integrierter Schaltungsvorrichtungen und - systeme. Mit der Entwicklung von integrierten, mikroelektromechanischen Resonatoren mit geringem Verlust (z. B. lt1 k) sind Schaltungsdesigner in der Lage, mikroelektromechanische Oszillatoren zu entwickeln, um hochstabile und niedrig-Jitter-Taktsignale mit kleinerem Formfaktor und geringerer Leistung als Oszillatoren unter Verwendung von Quarzkristallen zu liefern. 0004 Trotz ihrer kurzfristigen und langfristigen Stabilität können mikroelektromechanische Oszillatoren im Vergleich zu Quarzkristallen sowohl hinsichtlich der Temperaturstabilität als auch der Fertigungstoleranz eine schlechtere Frequenzgenauigkeit aufweisen. Beispielsweise kann der relativ große Temperaturkoeffizient der Frequenz (TCF) vieler mikroelektromechanischer Oszillatoren eine signifikante Frequenzdrift über einen kommerziellen Temperaturbereich verursachen. Diese relativ hohe Frequenzdrift kann mikroelektromechanische Resonatoren für viele Anwendungen unannehmbar machen, einschließlich solcher, die 50 ppm Genauigkeit erfordern. Um diese Potentialbegrenzung zu berücksichtigen, die mit mikroelektromechanischen Resonatoren verbunden ist, wurden Temperaturkompensationstechniken entwickelt. Einige dieser Temperaturkompensationstechniken, die eine elektrische Kompensation und eine Materialkompensation einschließen, sind in Artikeln von K. Sundaresan et al. Mit dem Titel A Low Phase Noise 100 MHz Silicon BAW Referenzoszillator, Proceedings der Custom Integrated Circuits Conference, S. 841-844, Sep. 10-13 (2006) H. M. Lavasani et al. Mit niedrigem Phasenriss UHF-Dünnfilm-Piezoelektrik-auf-Substrat-LBAR-Oszillatoren, Proc. IEEE MEMS, S. 1012-1015, Januar (2008) G. Ho et al. Berechtigte Temperaturkompensierte IBAR-Referenzoszillatoren, Proc. IEEE-ASME MEMS 2006, S. 910-913, Jan. 22-26, 2006 und H. M. Lavasani et al. Ein 145 MHz Niedriger Phasenrauschkapazitiver Silizium-Micromechanischer Oszillator, IEEE IEDM, S. 675-678, Dezember (2008). Die Offenbarungen dieser Artikel werden hiermit durch Bezugnahme aufgenommen. 0005 Wie diese Artikel beschreiben, kann eine Frequenzabstimmung in mikroelektromechanischen Oszillatoren durch Variation der Resonanzfrequenz des mikroelektromechanischen Resonators und durch eine zusätzliche Phasenverschiebung in einer Oszillationsschleife erreicht werden. Die kontinuierliche Abstimmung der Resonanzfrequenz kann durch Modifizieren der akustischen Eigenschaften der Resonanzstruktur durch Ändern der elektrischen und mechanischen Steifigkeit des Resonanzabschnitts des Oszillators erreicht werden. Unglücklicherweise erfordern Techniken zum Modifizieren akustischer Eigenschaften durch elektrostatische und thermische Abstimmung typischerweise relativ große Gleichspannungen und erhöhen den Energieverbrauch. Die Abwesenheit einer Polarisationsspannung macht diese Techniken auch unpraktisch für Resonatoren, die eine piezoelektrische Transduktion erfordern. 0006 Techniken, um eine zusätzliche Phasenverschiebung in der Oszillationsschleife vorzusehen, umfassen typischerweise die Verwendung von abstimmbaren variablen Kondensatoren, die parallel (parallele Abstimmung) oder Serien (Serienabstimmung) mit dem Resonator angeordnet sind. Die Parallelabstimmung ändert gewöhnlich die Durchführungskapazität, um dadurch eine Verschiebung der Antiresonanz des Resonanzelements zu bewirken. Die Verschiebung der Anti-Resonanz wirkt sich indirekt auf die Resonanzfrequenz aus, aber der Abstimmbereich ist hauptsächlich auf den Unterschied zwischen der Resonanz (wenn die Durchführung vollständig aufgehoben ist) und der Anti - Resonanzfrequenz begrenzt. 0007 Im Gegensatz dazu bietet die Serienoptimierung die Möglichkeit eines theoretisch unbegrenzten Abstimmbereichs. Somit ist, wie in Fig. In einem seitlich vibrierenden mikroelektromechanischen Resonator, der als Reihen-RLC-Treiberschaltung 18 mit relativ großen parasitären Shunt-Kondensatoren 15a, 15b (z. B. C p 2 pF) modelliert werden kann, kann die Serienabstimmung das Anordnen eines Abstimmnetzes 10 in Reihe mit einschließen Der Resonator als der effizienteste Weg, um Resonanzfrequenz zu ändern. Dieses Abstimmnetzwerk 10 ist so dargestellt, dass es einen Transimpedanzverstärker 12 mit abstimmbarer Verstärkung (von RF und C TUNE) und einen Spannungsverstärker 14 enthält, der einen Off-Chip-Puffer 16 antreiben kann. Leider ist das Vorhandensein der relativ großen parasitären Shuntkapazitäten Kann den Abstimmbereich auf ein Niveau reduzieren, das für eine ausreichende Temperaturkompensation notwendig ist. ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG 0008 Integrierte Schaltungsoszillatoren gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung umfassen mikroelektromechanische (MEM) Resonatoren darin mit einer parasitären Impedanzaufhebung. Gemäß einigen dieser Ausführungsformen der Erfindung umfasst ein Oszillator einen mikroelektromechanischen Resonator mit einem ersten und einem zweiten Anschluss, wie beispielsweise einem Eingangsanschluss und einem Ausgangsanschluss. Eine Oszillations-Halteschaltung ist ebenfalls vorgesehen. Die Oszillations-Halteschaltung ist zwischen den ersten und zweiten Anschlüssen des mikroelektromechanischen Resonators elektrisch gekoppelt. Die Oszillationserhaltungsschaltung enthält einen Verstärkungsverstärker und eine Negativimpedanzschaltung, die elektrisch mit dem Halteverstärker gekoppelt ist. Die Negativimpedanzschaltung ist so konfiguriert, dass sie einen Abstimmbereich des Oszillators durch zumindest teilweises Aufheben einer parasitären Shuntkapazität, die dem mikroelektromechanischen Resonator zugeordnet ist, erhöht. 0009 Gemäß einigen dieser Ausführungsformen der Erfindung enthält die Negativimpedanzschaltung einen Lastkondensator und einen Negativimpedanzwandler (NIC). Zusätzlich kann der Verstärkungsverstärker mindestens einen Abstimmkondensator mit einem ersten Anschluss aufweisen, der mit einem ersten Anschluss des Lastkondensators innerhalb der Negativimpedanzschaltung elektrisch verbunden ist. Der Verstärkungsverstärker kann auch einen Transimpedanzverstärker mit einem Eingang enthalten, der elektrisch mit einem zweiten Anschluss des mindestens einen Abstimmkondensators verbunden ist. 0010 Gemäß weiteren Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung umfasst der Negativimpedanzwandler einen Spannungsteiler und einen ersten Transistor mit einem ersten stromführenden Anschluss, der elektrisch mit einem Zwischenknoten des Spannungsteilers verbunden ist. Der Negativimpedanzwandler enthält auch einen zweiten Transistor mit einem Gateanschluss, der mit dem Zwischenknoten verbunden ist. Dieser zweite Transistor hat einen ersten stromführenden Anschluß (z. B. Drain-Anschluß), der elektrisch mit einer Elektrode des Lastkondensators verbunden ist, und einen zweiten stromführenden Anschluß (z. B. Source-Anschluß), der elektrisch mit einem Anschluß des mikroelektromechanischen Resonators verbunden ist. 0011 Gemäß noch weiteren Ausführungsformen der Erfindung ist ein Oszillator mit einem seitlich vibrierenden MEMs-Resonator und einer Oszillations-Halteschaltung versehen, die elektrisch mit dem seitlich angeregten MEMs-Resonator gekoppelt ist. Die Oszillationserhaltungsschaltung enthält auch eine erste negative Impedanzschaltung, die elektrisch mit einem ersten Anschluss des seitlich angeregten MEMs-Resonators gekoppelt ist. Es kann auch eine zweite negative Impedanzschaltung vorgesehen sein, die mit einem zweiten Anschluss des seitlich angeregten MEMs-Resonators elektrisch gekoppelt ist. KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN 0012 1 ist ein elektrisches Schema eines integrierten Schaltungsoszillators mit einem mikroelektromechanischen Resonator und einer Oszillationsunterhaltungsschaltung darin gemäß dem Stand der Technik. 0013 Fig. 2A ist ein elektrisches Schaltbild einer negativen Impedanzschaltung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 0014 Fig. 2B ist ein elektrisches Schaltbild eines integrierten Schaltungsoszillators mit einem mikroelektromechanischen Resonator, einer Oszillationserhaltungsschaltung und einer Temperaturkompensationsschaltung darin gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 0015 Fig. 3 ist ein Diagramm der Resonanzfrequenz gegenüber der Abstimmspannung (V TUNE) für einen mikroelektromechanischen Oszillator, der mit und ohne parasitäre Impedanzauslöschung konfiguriert ist. BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN 0016 Die vorliegende Erfindung wird nun vollständiger unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben, in denen bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung gezeigt sind. Diese Erfindung kann jedoch in vielen verschiedenen Formen ausgeführt werden und sollte nicht als auf die hierin dargelegten Ausführungsformen beschränkt angesehen werden, sondern diese Ausführungsformen sind so vorgesehen, daß diese Offenbarung gründlich und vollständig ist und den Umfang der Erfindung für den Fachmann. Gleiche Bezugszeichen beziehen sich auf gleiche Elemente. 0017 Die hier verwendete Terminologie dient lediglich der Beschreibung bestimmter Ausführungsformen und soll nicht die vorliegende Erfindung einschränken. Wie hierin verwendet, können die Singularformen a, an und die beabsichtigt sein, auch die Pluralformen einzuschließen, sofern der Kontext nicht anders deutet. Es wird ferner verstanden werden, dass die Begriffe, die einschließlich und Varianten davon umfassen, wenn sie in dieser Beschreibung verwendet werden, die Anwesenheit von angegebenen Merkmalen, Schritten, Operationen, Elementen und Komponenten angeben, aber nicht die Anwesenheit oder Hinzufügung von einer oder Mehr andere Merkmale, Schritte, Operationen, Elemente, Komponenten und Gruppen davon. Im Gegensatz dazu gibt der Begriff, der aus der Verwendung in dieser Spezifikation besteht, die angegebenen Merkmale, Schritte, Operationen, Elemente und Komponenten und schließt zusätzliche Merkmale, Schritte, Operationen, Elemente und Komponenten aus. 0018 Sofern nicht anders definiert, haben alle hierin verwendeten Begriffe (einschließlich technischer und wissenschaftlicher Begriffe) die gleiche Bedeutung, wie sie allgemein von einem Fachmann auf dem Gebiet, zu dem die vorliegende Erfindung gehört, verstanden werden. Es wird weiter verstanden werden, dass Begriffe, wie sie in allgemein verwendeten Wörterbüchern definiert sind, so interpretiert werden sollen, dass sie eine Bedeutung haben, die im Zusammenhang mit der relevanten Kunst im Einklang steht und nicht in einem idealisierten oder übermäßig formalen Sinne interpretiert wird, es sei denn, Ausdrücklich so definiert. 0019 Fig. 2A - 2B zeigen eine negative Impedanzschaltung 100 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Diese Negativimpedanzschaltung 100 enthält einen Lastkondensator C L und einen Negativimpedanzwandler (NIC) mit einem Anschluß, der NMOS-Transistoren M n1 - M n3 enthält. PMOS-Transistor M p1 und Widerstände R 1 - R 3. Verbunden wie dargestellt. Die Widerstände R & sub2; - R & sub3; arbeiten als ein Spannungsteiler, der eine Vorspannung an einem Gateanschluß des NMOS-Transistors Mn-1 erzeugt. Was gleich VDD (R 2 (R 2 R 3) ist), wobei V DD eine Versorgungsspannung mit einer Größe von etwa 1,8 Volt ist. Dieser Spannungsteiler stellt auch einen Strompfad für den Drain-Anschluss von M n2 bereit. Die Gateanschlüsse der NMOS-Transistoren M n2 - M n3 reagieren auf ein erstes Vorspannungssignal (V BN) und der Gateanschluß des PMOS-Transistors M p1 reagiert auf ein zweites Vorspannungssignal (V BP). Die ersten und zweiten Vorspannungssignale können Größen von 0,9 Volt aufweisen. Durch die Dimensionierung der NMOS-Transistoren M n1 und M n2 in geeigneter Weise, dass g m - N1g m - N2g m ist. Kann die Kapazität am Eingang der negativen Impedanzschaltung 100 wie folgt berechnet werden: wobei g m die Transkonduktanz der Transistoren M n1 und M n2 ist. Somit wird durch eine geeignete Dimensionierung des Widerstandsnetzwerks einschließlich der Widerstände R & sub1; - R & sub3; Kann die Eingangskapazität C in der negativen Impedanzschaltung 100 an die parasitäre Shuntkapazität 15a an einem Eingang eines mikroelektromechanischen (MEM) Resonators, wie beispielsweise eines seitlich angeregten MEMs-Resonators, angepasst werden. Diese Übereinstimmung arbeitet, um die Frequenzdrift des Oszillators über einen kommerziellen Temperaturbereich zu minimieren, indem zumindest ein wesentlicher Teil der parasitären Shuntkapazität 15a aufgehoben wird. 0020 Unter Bezugnahme auf den abgestimmten und temperaturkompensierten Oszillator 200 von Fig. 2B Ist die Negativimpedanzschaltung 100 mit einem Eingang eines Abstimmnetzwerks 10 gekoppelt, das so dargestellt ist, daß es einen Transimpedanzverstärker 12 mit abstimmbarer Verstärkung (vorausgesetzt durch HF. C TUNE und eine Abstimmspannung V TUNE) und einen Spannungsverstärker 14 aufweist, Treiben einen Off-Chip-Puffer 16 an. Durch Einfügen der negativen Impedanzschaltung 100 kann eine verbesserte Abstimmleistung erzielt werden. Diese Verbesserung ist in Fig. 1 dargestellt. 3, die ein Graph der Resonanzfrequenz gegenüber der Abstimmspannung (V TUNE) für einen mikroelektromechanischen Oszillator ist, der mit und ohne parasitäre Impedanzaufhebung unter Verwendung der hierin beschriebenen negativen Impedanzschaltung konfiguriert ist. Obwohl in Fig. 2B Kann eine zweite negative Impedanzschaltung vorgesehen sein, um die parasitäre Nebenschlußkapazität 15b an einem Ausgang des MEMs-Resonators aufzuheben, der als die Reihen-RLC-Treiberschaltung 18 modelliert ist. Diese Addition der zweiten negativen Impedanzschaltung arbeitet, um den Abstimmbereich weiter zu verbessern Des MEMs-Resonators, aber auf Kosten einer höheren Signaldämpfung, die einen höheren Leistungsverbrauch und einen reduzierten Dynamikbereich erzwingt. 0021 Fig. 2B zeigt ferner eine Temperaturkompensationsschaltung 110, die verwendet werden kann, um die Temperaturdrift des Resonators weiter zu kompensieren. Diese Temperaturkompensationsschaltung 110 enthält einen PTAT-Spannungsgenerator 120 und einen Bandlückenspannungsgenerator 122, die Eingänge für einen Verstärker 118 bereitstellen, der einen Spannungs-Strom-Wandler 116 antreibt. Ein Quadratwurzelgenerator 114 und ein Verstärker 112 sind ebenfalls vorgesehen Um eine Abstimmspannung V TUNE als Reaktion auf einen Ausgang des Wandlers 116 zu erzeugen. Diese und andere Aspekte der Temperaturkompensationsschaltung 110 sind in dem vorgenannten Artikel von G. Ho et al. Berechtigte Temperaturkompensierte IBAR-Referenzoszillatoren, Proc. IEEE-ASME MEMS 2006, S. 910-913, Jan. 22-26, 2006. Noch weitere Aspekte von PTAT - und Bandlücken-Spannungsgeneratoren sind in der gemeinsam übertragenen US-Anmeldung Ser. Nr. 12112,933, eingereicht am 30. April 2008 und Ser. Nr. 12494,935, eingereicht am 30. Juni 2009, deren Offenbarungen hiermit durch Bezugnahme aufgenommen sind. 0022 In den Zeichnungen und der Beschreibung wurden typische bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung offenbart, und obwohl spezifische Begriffe verwendet werden, werden sie nur in einem generischen und beschreibenden Sinn verwendet und nicht zu Zwecken der Beschränkung, wobei der Umfang der Erfindung dargelegt ist In den folgenden Ansprüchen